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Láser semiconductor, comúnmente conocido como unDiodo Láser, Se compone de módulo láser semiconductor de acoplamiento de fibra, dispositivo de combinación de haz, cable de transmisión de energía láser, sistema de alimentación, sistema de control y estructura mecánica, en el sistema de potencia y control del sistema de control y monitoreo para lograr la salida del láser. Las sustancias de trabajo comúnmente utilizadas de los láseres semiconductores son GaAs, CdS, InP, ZnS, etc. Hay tres modos de excitación principales de acuerdo con diferentes sustancias de trabajo: inyección eléctrica, tipo de bomba y excitación de haz de electrones de alta energía.
Incentivos | Principio de funcionamiento |
Láser semiconductor inyectado eléctricamente | GaAS, CdS, InP y ZnS se utilizan como materiales de trabajo para fabricar diodos semiconductores. Cuando se inyectan eléctricamente, los materiales de trabajo son excitados por la corriente inyectada a lo largo de la polarización directa, para generar una emisión estimulada en la región del plano nodal. |
Punp láser | La inversión de la población se puede realizar utilizando un solo cristal semiconductor de tipo P o de tipo N como material de trabajo y mediante la excitación de la bomba de otros láseres. |
Láser excitado por haz de electrones de alta energía | Los monocristales semiconductores de tipo P (PbS, CbS y ZnO) o monocristales semiconductores de tipo N se utilizaron como materiales de trabajo y se excitaron con láseres de otros láseres. |
Debido a las características de desarrollo de alta integración, alta velocidad y capacidad de ajuste, en los últimos años, el desarrollo de láseres semiconductores de baja potencia utilizados en el campo de la tecnología de la información es extremadamente rápido, lo que hace que el diodo láser tenga una gran innovación y progreso. En la actualidad, con el apoyo de proyectos de investigación en varios países, la estructura del chip láser de semiconductores, el crecimiento epitaxial y el embalaje de dispositivos, y otras tecnologías láser han hecho un gran progreso, el rendimiento de los dispositivos de la unidad también ha logrado un gran avance: la eficiencia de conversión electroóptica es más que 70%, Y el ángulo de divergencia del haz es más bajo y más bajo. La eficiencia de enfriamiento del láser aumenta por 30% mediante el uso de un disipador de calor de carbono nano (CN), y la vida útil continua del láser es de decenas de miles de horas.
Láser semiconductoresTiene un volumen pequeño, ligero, larga vida útil, alta confiabilidad, operación de bajo consumo de energía, la eficiencia de conversión electroóptica es alta, las ventajas de la producción en masa fácil y el precio es barato, en un disco, o máquina de CD, comunicación de fibra óptica, almacenamiento óptico, impresoras láser, Y otras amplias aplicaciones, que cubren todo el campo de la optoelectrónica.
Con el desarrollo continuo y el avance de la tecnología, el láser semiconductor se está desarrollando en la dirección de una longitud de onda de emisión más corta, mayor potencia de emisión, ultra pequeño y larga vida, para satisfacer las necesidades de diversas aplicaciones, la categoría de producto es cada vez más rica. También ha sido ampliamente utilizado en el procesamiento láser, impresión 3D, Lidar, láser que se extiende, militar, Medicina y Ciencias de la vida. Además, los láseres semiconductores directos de alta potencia se utilizan ampliamente en campos de corte y soldadura mediante el acoplamiento en fibras ópticas para la transmisión.
